摘自:電子產品世界

來源://www.eepw.com.cn/article/201907/402703.htm

2019年7月9日,加利福尼亞州圣克拉拉 - 應用材料公司今日宣布推出可實現大規模量產的創新型解決方案,旨在加速面向物聯網(IoT)和云計算的新型存儲器的工業應用進程。

圖:應用材料公司Endura? Clover?MRAM PVD 系統 

幾十年前所研制出且已大規模量產的存儲器技術,包括DRAM、SRAM和閃存等,現已廣泛應用于各種數字設備和系統中。而以MRAM、ReRAM和PCRAM為代表的新型存儲器雖然能夠帶來獨特的優勢,但由于這些存儲器均采用新型材料,至今很難實現大規模量產。應用材料公司今日推出的全新制造系統能夠以原子級的精度沉積新型材料,從而解決生產這些新型存儲器的核心難題。這些系統是應用材料公司迄今為止開發的最先進的系統,能夠助力這些前景廣闊的新型存儲器實現可靠的工業規模量產。

面向云計算的ReRAM和PCRAM

隨著當今的數據產生呈指數級增長,對于云數據中心中連接服務器和存儲系統的數據路徑,其速度和功耗也需要實現跨數量級的改進。ReRAM(阻性RAMPCRAM(相變RAM)是低功耗、高密度的高速非易失性存儲器,可作為“存儲級存儲器”來填補服務器DRAM和存儲器之間不斷擴大的性價比差距。

PCRAM采用的是DVD光盤中常見的相變材料,通過將材料狀態從非晶態更改為晶態對數據位進行編程。ReRAM和PCRAM與3D NAND存儲器類似,同樣呈3D結構排列,存儲器制造商可以在更新換代過程中逐步增加層數,從而穩定地降低存儲成本。ReRAM和PCRAM還有望實現和編輯多個電阻率中間形態,以便在每單個存儲器單元中存儲多位數據。

ReRAM和PCRAM的成本可以明顯低于DRAM,并能夠提供比NAND和硬盤驅動器更快的讀取性能。應用材料公司專為PCRAM和ReRAM打造的Endura? Impulse? PVD平臺包含多達九個真空工藝反應腔,并集成了機載計量技術,能夠對這些新型存儲器中使用的多組分材料進行精確沉積和控制。

 AMT專注于PCM相變存儲器市場,并與應用材料公司具有長期穩定的合作,相信在應材公司新的設備解決方案的幫助下,AMT生產技術將會日漸成熟成為世界領先的相變存儲廠商。


2019年07月22日

應用材料公司助力面向物聯網和云計算的新型存儲器實現量產

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